閃存漲幅與頻率超預期 存儲市場或迎強勢反彈
進入2023年第四季度，存儲市場的供需狀況呈現(xiàn)逐步改善的趨勢。這一改善主要得益于消費電子市場的逐步恢復以及原廠減產(chǎn)計劃不變、強勢漲價態(tài)度。
此外，隨著各類應(yīng)用設(shè)備的單機搭載存儲容量持續(xù)增加，以及生成式AI應(yīng)用和電動車滲透率的不斷提高，將進一步推動存儲需求的增長。隨著市場需求增加，存儲價格也開始呈現(xiàn)全面上漲的趨勢。
進入12月，跟隨威剛工控一起來看看最新的市場信息和行業(yè)分析。
?11納米級DRAM芯片和第九代V-NAND都在開發(fā)中，以滿足超大規(guī)模人工智能設(shè)備需要高性能、高容量和低功耗的內(nèi)存需求。 ?該公司還大規(guī)模量產(chǎn)HBM內(nèi)存芯片，以搶占人工智能、數(shù)據(jù)中心和機器學習平臺的市場份額。 該產(chǎn)品的性能高達8000MT/s，可支持今后的數(shù)據(jù)中心工作負載。 滿足數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中各種關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用的性能需求：人工智能、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(IMBD)以及各種需要多核多線程計數(shù)的生產(chǎn)力場景。 得益于人工智能芯片需求的快速增長，帶來了對HBM產(chǎn)品的需求增長。 該公司在4月23日已經(jīng)擁有HBM 50%的市場份額，盡管該產(chǎn)品線僅占DRAM收入的10%。 分離將更好地定位每個特許經(jīng)營權(quán)，以執(zhí)行創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā)，可在行業(yè)形勢改善的情況下為股東創(chuàng)造價值。 Kioxia在2023財年的第二季度凈虧損達到創(chuàng)紀錄的13億美元，反映出半導體需求面臨更大的挑戰(zhàn) 繼日本工業(yè)伙伴公司（JIP）以140萬美元收購東芝后，東芝將于2023年12月20日從東京證券交易所退市。 
：三星將存儲芯片密度開發(fā)到極致
：美光宣布推出基于32Gb單片芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存
：SK海力士第三季度DRAM市場份額達到創(chuàng)紀錄的35%
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：WD董事會批準了一項將HDD和閃存業(yè)務(wù)分離的計劃
2023 – 2024年全球SSD出貨量
■ 全球SSD出貨量：需求可能在第四季度達到2023年的新高。
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2023-2024年閃存供需和價格走勢
■ 價格走勢：NAND Flash的價格在2023年第四季度大幅上漲后，將于2024年第一季度至第三季度開始持續(xù)攀升。
■ 滿足率：2023年下半年至2024年都將維持在極低的水平。
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2023-2024年全球內(nèi)存產(chǎn)量
■ 全球DRAM產(chǎn)量：全應(yīng)用領(lǐng)域的內(nèi)存產(chǎn)量將從2023年第四季度開始實現(xiàn)穩(wěn)定增長。
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2023-2024年DDR4內(nèi)存供需和價格走勢
■ 價格走勢：DDR4 8Gb內(nèi)存合約價將在12月與現(xiàn)貨低點重疊，并于24年上半年呈現(xiàn)緩慢攀升。
■ DRAM滿足率：從2023年第四季度開始將維持在極低的水平。
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供給與價格趨勢分析
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